Broadband and high-power terahertz radiation source based on extended interaction klystron
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Development of a 670 GHz Extended Interaction Klystron Power Amplifier
We describe our progress on the development of extended interaction klystron amplifiers operating at 670 GHz, meeting demanding requirements for output power, gain, bandwidth, and efficiency.
متن کاملProduction of high power femtosecond terahertz radiation
The terahertz (THz) region of the electromagnetic spectrum is attracting interest for a broad range of applications ranging from diagnosing electron beams to biological imaging. Most sources of short pulse THz radiation utilize excitation of biased semiconductors or electro-optic crystals by high peak power lasers. For example, this was done by using an un-doped InAs wafer irradiated by a femto...
متن کاملExtended Interaction Klystron Technology at Millimeter and Sub-millimeter Wavelengths
This paper reviews the technology and demonstrated capability of mmW and Sub-mmW Extended Interaction Klystrons at CPI Canada. It discusses design and manufacturing concepts stating self-imposed restrictions and design modifications enhancing power capability, bandwidth and extending operating frequency into the THz region.
متن کاملDiffractive Lenses for High Power Terahertz Radiation Beams
Techniques for manufacturing silicon binary (two level) diffractive lenses and polypropylene kinoform diffractive lenses for the terahertz spectrum range are described. The elements are 1 and 0.8 mm thick, respectively. The silicon lens is manufactured in two versions: with no coating and with a parylene C (polyparaxylylene) antireflection coating. Characteristics of the diffractive optical ele...
متن کاملapplication of upfc based on svpwm for power quality improvement
در سالهای اخیر،اختلالات کیفیت توان مهمترین موضوع می باشد که محققان زیادی را برای پیدا کردن راه حلی برای حل آن علاقه مند ساخته است.امروزه کیفیت توان در سیستم قدرت برای مراکز صنعتی،تجاری وکاربردهای بیمارستانی مسئله مهمی می باشد.مشکل ولتاژمثل شرایط افت ولتاژواضافه جریان ناشی از اتصال کوتاه مدار یا وقوع خطا در سیستم بیشتر مورد توجه می باشد. برای مطالعه افت ولتاژ واضافه جریان،محققان زیادی کار کرده ...
15 صفحه اولذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Scientific Reports
سال: 2019
ISSN: 2045-2322
DOI: 10.1038/s41598-019-41087-3